Продукция
О нас Качество Новости Контакты Карта сайта Акционерам
 
СВЧ ферриты и диэлектрики
Ферритовые СВЧ приборы
Магнитомягкие материалы (Mn-Zn и Ni-Zn ферриты)
Области применения
Ферритовые кольцевые сердечники
Сердечники квадратные типа КВ
П-образные сердечники
Е-образные сердечники
Трубчатые сердечники
Многоотверстные сердечники
Стержневые сердечники
Пластинчатые сердечники
Сердечники низкопрофильные Ш-образные и пластинчатые
Роторы и статоры
Чашечные сердечники
Запоминающих устройств
Гантельные сердечники
Термины
Сердечники из магнитодиэлектриков
Варисторы
Индуктивные элементы
Версия для печати
Услуги

Магнитомягкие материалы (Mn-Zn и Ni-Zn ферриты)Термины

Термины и определения приведены в соответствии с ГОСТ 19693-74, ГОСТ 19880-74.
 
СИМВОЛЫ
 
µн
начальная магнитная проницаемость
µmax
максимальная магнитная проницаемость
µи
импульсная магнитная проницаемость
АL
коэффициент индуктивности, нГн
В
магнитная индукция, Тл (Гс)
Вr
остаточная магнитная индукция,  Тл(Гс)
Нс
коэрцитивная сила, А/м (Э)
Фm
магнитный поток, Вб (Мкс)
Фr
остаточный магнитный поток
Нm
напряженность магнитного поля , А/м (Э)
На
амплитудное значение переменного магнитного поля , А/м (Э)
Нт
поле трогания, А/м (Э)
НИопт
величина импульсного намагничивающего поля, при котором минимальные уходы µи при изменении температуры окружающей среды
Ir
ток считывания , А
Iт
ток трогания, А
Нтс
коэффициент квадратности
αНс
температурный коэффициент коэрцитивной силы, %/оС
tgδμ
тангенс угла магнитных потерь
tgδμ /µн
относительный тангенс угла магнитных потерь
Lкс
индуктивность измерительной катушки с сердечником, мкГн
Q
магнитная добротность
αrµн
относительный температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости, 1/оС
P
удельные объемные магнитные потери, МкВт/см3Гц
fкр
частота критическая, МГц
ρ
удельное электрическое сопротивление, Ом×м
Ө
точка Кюри, оС
Гт
сердечники гантельные
К
сердечники кольцевые
КВ
сердечники квадратные
П
сердечники пластинчатые
ПТ
сердечники подстроечные трубчатые
Т
сердечники трубчатые
Тр
сердечники многоотверстные
Ш
сердечники Ш-образные
ЭЗУ
элементы запоминающих устройств
ЭМИ
электромагнитное излучение
ВИП
вторичные источники питания
 
µн – значение магнитной проницаемости по начальной или основной кривой намагничивания по индукции при стремлении напряженности магнитного поля к нулю, деленное на магнитную постоянную.
µmax максимальное значение магнитной проницаемости как функции напряженности магнитного поля на основе намагничивания кривой по индукции.
µи – отношение приращения индукции к приращению напряженности магнитного поля в материале при намагничивании импульсом тока определенной формы, амплитуды и длительности, деленное на магнитную постоянную.
АL – отношение индуктивности катушки к квадрату числа витков.
В – векторная величина, характеризующая магнитное поле и определяющая силу, действующую на движущуюся заряженную частицу со стороны магнитного поля.
Вr – индукция сохраняющаяся в магнитном материале после намагничивания его до технического насыщения и уменьшения напряженности магнитного поля в нем до нуля.
Нс – величина, равная напряженности магнитного поля, необходимого для изменения магнитной индукции от остаточной индукции до нуля.
Фm – поток магнитной индукции.
Фr – магнитный поток в образце из магнитного материала с остаточной намагниченностью.
Нm – векторная величина, равная геометрической разности магнитной индукции, деленной на магнитную постоянную и намагниченность.
НА – амплитудное значение напряженности магнитного поля , вызванное переменным током.
Нт – значение напряженности магнитного поля, при котором магнитный поток на восходящей ветви статической петли гистерезиса равен 0,9 Фr.
Ir – ток обратного направления току записи, обеспечивающий переключения сердечника из первоначально установленного состояние в состояние минус Фm на статической петле гистерезиса.
Iт – ток, при котором магнитный поток на восходящей ветви статической петли гистерезиса равен минус 0,9 Фr .
Нтс – определяется отношением тока трогания к току считывания.
αНс – относительное изменение коэрцитивной силы при изменении температуры на 1оС в заданном диапазоне температур.
tgδμ– отношение мнимой части к действительной части комплексной магнитной проницаемости.
tgδμ /µн  – отношение тангенса угла магнитных потерь к начальной магнитной проницаемости.
Q – величина, обратная тангенсу угла магнитных потерь.
αн 1/оС – отношение температурного коэффициента магнитной проницаемости к значению начальной магнитной проницаемости при нормальной температуре.
Р – мощность, поглощаемая в единице объема магнитного материала и рассеиваемая в виде тепла при воздействии на материал меняющегося во времени магнитного поля.
fкр – частота, при которой тангенс угла магнитных потерь материала равен 0,1.
ρ– величина, равная отношению модуля напряженности электрического поля к модулю плотности тока, скалярная для изотропного вещества и тензорная для анизотропного.
Ө– критическая температура, выше которой ферромагнетик (ферримагнетик) становится парамагнетиком.


© Создание сайта - рекламное агентство "1К" 2005